报告题目：新型太赫兹光电导辐射源及阵列研究进展
报 告 人：施卫 教授 （西安理工大学）
报告时间：2017年11月8日（周三）15:00
报告地点：校本部E楼一楼量子中心会议室E106
邀请人：马国宏
报告摘要：报道用GaAs光电导开关（GaAs PCSS）的雪崩倍增工作模式作为光电导太赫兹辐射源（PCA）产生THz电磁波的可能性及研究进展。通过理论分析及实验研究，在实验上实现了：（1）利用nJ量级飞秒激光触发GaAs PCA进入雪崩倍增工作模式；（2）利用光激发电荷畴的猝灭模式实现了使GaAs PCA载流子雪崩倍增模式的延续时间（Lock–on时间）变短。报道GaAs在强电场作用下被弱光（nJ量级）触发下的载流子瞬态输运特性，光激发电荷畴的产生、光激发电荷畴猝灭模式及其应用。报道了用具有载流子雪崩倍增模式，研制高功率GaAs 光电导太赫兹辐射源及其阵列的研究进展。为利用雪崩倍增GaAs PCA产生强THz辐射源奠定了基础。
