报告题目Title：面向器件设计的第一性原理量子输运计算（Towards the Emerging Electronics Design from First Principles by Nanodcal Software）
报 告 人Speaker：Yin Wang (王音)（The University of Hong Kong 香港大学）
报告时间Time：2016年5月13日(周五)10:00
报告地点Venue：校本部E106会议室，8455新葡萄场网站量子与分子结构国际中心SHU ICQMS
邀 请 人Host：任伟教授
报告摘要Abstract：在电子器件的发展过程中，理论和计算设计一直扮演着重要的角色。随着新兴器件的不断涌现，量子效应和材料细节已经成为影响器件性质的重要因素，传统的基于经验公式和经典理论的材料和器件设计方法已不能满足器件设计的需要。2001年，人们用非平衡格林函数方法（NEGF）求解电荷密度，结合密度泛函理论（DFT）进行自洽计算，成功发展了处理非平衡输运问题的第一性原理计算方法，即NEGF-DFT方法。经过十五年的发展，该方法已经成为一种人们广泛使用的从第一性原理层面计算量子输运问题的标准方法，并逐渐成为替代传统方案进行未来新兴材料和器件设计的重要手段。本报告将回顾NEGF-DFT方法的计算研究历程，描述第一性原理量子输运计算软件Nanodcal的发展现状，讲解量子输运建模及计算的基本思路和方法；在建立基本的量子输运计算概念后，将阐述第一性原理器件设计所面临的诸多挑战，包括如何计算含有成千上万原子的器件体系，如何正确且低成本的计算半导体的能带参数，如何处理半导体的低浓度掺杂等等，并讲解如何使用Nanodcal软件解决上述问题来进行真实电子器件设计研究。
